Samsung Galaxy S21 FE действительно получит флагманский чип Snapdragon 888

Хотя Samsung недавно представила новые флагманские смартфоны серии Galaxy Z, отличающиеся складной конструкцией с гибкими экранами, корейская компания планирует как минимум еще одну модель для флагманского процессора. Речь идет о смартфоне Samsung Galaxy S21 FE.

Samsung Galaxy S21 FE действительно получит флагманский чип Snapdragon 888

androidauthority.com

Разрозненные утечки информации о смартфоне флагманской серии происходили не раз, но только сейчас установленная достоверная информация стала доступна широкому кругу людей — пользователей-разработчиков сервиса Google Play Console.

Подтверждены слухи, что Samsung Galaxy S21 FE получит флагманский чипсет Qualcomm Snapdragon 888 с частотой до 2,8 ГГц, поэтому по производительности новинка будет соответствовать классическому Galaxy S21. Графический процессор — Adreno 660 с частотой 840 МГц. Устройство работает под управлением Android 11.

интересно, что консоль Google Play указывает, что Galaxy S21 FE будет оснащен 6 ГБ оперативной памяти или больше. На сегодняшний день это наименьший объем, используемый с флагманским чипсетом Snapdragon текущего года, сопоставимых аналогов как у конкурентов, так и у самого Samsung нет.

Samsung Galaxy S21 FE действительно получит флагманский чип Snapdragon 888

androidauthority.com

Примечательно, что Galaxy S21 имеет 8 ГБ или больше памяти. Не исключено, что новинка будет выпущена с таким же объемом оперативной памяти, но вариант 6 ГБ снизит цену устройства для тех, кто желает иметь относительно доступное устройство с почти флагманскими функциями.

Кроме того, в базе данных указано, что дисплей модели имеет разрешение 2009 × 1080 пикселей — это отличает его от ближайших родственников, Galaxy S21 и S21 Plus, получивших разрешение 2400 × 1080 пикселей. Плотность пикселей — 480 ppi.

Стоит отметить, что данные консоли Google Play тоже не окончательные — в результате смартфон теоретически мог появиться с другими вариантами раскладки.

Источник

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *